ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
Экспериментально такого рода дефекты (вакансии) определяются по
разнице рентгеновской и пикнометрической плотности: первая из них дает
картину полного заполнения атомами кристаллической решетки, а вторая
учитывает существование незанятых мест в структуре и дает, таким обра-
зом, картину «разрыхления» кристалла.
Дефекты по Френкелю (структуры смещения) образуются также при
тепловом возбуждении (нагревании) кристалла и
заключаются в переходе
атома из узла в междоузлие (рис. 3). При этом возникает сразу два точеч-
ных дефекта: вакансия и внедренный в междоузлие собственный атом. Об-
разование таких дефектов требует большой затраты энергии (2–4 эВ), так
как у большинства кристаллов размеры междоузлий меньше размеров са-
мих атомов. Особенно это затруднение проявляется в
плотноупакованных
структурах металлических кристаллов.
Для описания процессов дефектообразования в кристаллах исполь-
зуют метод квазихимических реакций, по аналогии с обычными химиче-
скими реакциями. При этом соблюдают принципы электронейтральности и
материального баланса. К ним добавляется принцип сохранения числа уз-
лов в кристалле, который заключается в том, что при образовании дефек-
тов соотношение между
числом различных кристаллографических позиций
остается постоянным.
Например, при взаимодействии оксида меди Cu
2
O с кислородной
средой на поверхности кристалла образуется дополнительное количество
узлов, содержащих атомы кислорода. При этом внутри кристалла возника-
ет эквивалентное количество вакансий и соотношение числа узлов меди и
кислорода (2 :1) сохраняется.
Для обозначения различного рода дефектов обычно используют сим-
волику Крёгера, которая заключается в следующем. В бинарном кристалле
АВ символы А
А
и В
В
обозначают атомы, занимающие регулярные узлы
решетки; V
A
и V
B
– вакансии в подрешетках А и В; F
i
– атом примеси в
междоузлии (дефект внедрения). Из приведенной символики видно, что
структурный элемент (атом, дефект) обозначен основной буквой, а его по-
ложение в решетке – подстрочным символом.
Рис. 3. Схема образования дефекта по Френкелю
Экспериментально такого рода дефекты (вакансии) определяются по разнице рентгеновской и пикнометрической плотности: первая из них дает картину полного заполнения атомами кристаллической решетки, а вторая учитывает существование незанятых мест в структуре и дает, таким обра- зом, картину «разрыхления» кристалла. Дефекты по Френкелю (структуры смещения) образуются также при тепловом возбуждении (нагревании) кристалла и заключаются в переходе атома из узла в междоузлие (рис. 3). При этом возникает сразу два точеч- ных дефекта: вакансия и внедренный в междоузлие собственный атом. Об- разование таких дефектов требует большой затраты энергии (2–4 эВ), так как у большинства кристаллов размеры междоузлий меньше размеров са- мих атомов. Особенно это затруднение проявляется в плотноупакованных структурах металлических кристаллов. Для описания процессов дефектообразования в кристаллах исполь- зуют метод квазихимических реакций, по аналогии с обычными химиче- скими реакциями. При этом соблюдают принципы электронейтральности и материального баланса. К ним добавляется принцип сохранения числа уз- лов в кристалле, который заключается в том, что при образовании дефек- тов соотношение между числом различных кристаллографических позиций остается постоянным. Например, при взаимодействии оксида меди Cu2O с кислородной средой на поверхности кристалла образуется дополнительное количество узлов, содержащих атомы кислорода. При этом внутри кристалла возника- ет эквивалентное количество вакансий и соотношение числа узлов меди и кислорода (2 :1) сохраняется. Для обозначения различного рода дефектов обычно используют сим- волику Крёгера, которая заключается в следующем. В бинарном кристалле АВ символы АА и ВВ обозначают атомы, занимающие регулярные узлы решетки; VA и VB – вакансии в подрешетках А и В; Fi – атом примеси в междоузлии (дефект внедрения). Из приведенной символики видно, что структурный элемент (атом, дефект) обозначен основной буквой, а его по- ложение в решетке – подстрочным символом. Рис. 3. Схема образования дефекта по Френкелю 12
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »