Основы автоматики. Гордеев А.С. - 115 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МичГАУ | Мичуринск

Составители: 

Рубрика: 

115
ных соединениях. Электрическая схема, моделирующая характе-
ристику люфта, показана на рис. 7.19а. Пусть в начальный мо-
мент конденсаторы C
1
и C
2
разряжены. Пока входной сигнал не
превысит значений +U
оп
или -U
оп
, выходной сигнал равен нулю,
так как оба диода D
1
и D
2
заперты опорным напряжением. Вели-
чина люфта а (рис.10.19б) моделируется схемой зоны нечувстви-
тельности. При увеличении входного сигнала U
вх
> U
оп
диод D
2
отпирается и выходное напряжение начинает изменяться по сле-
дующему закону (участок характеристики 1-2):
(
)
(
)
U С RCRUU
выхвхоп
=−
1423
.
Рисунок 7.19 – Схема
модели люфта (а) и ее
характеристика (б).
Под действием
входного напряже-
ния диод D
2
закроет-
ся напряжением на
конденсаторе C
1
. На
выходе схемы на-
пряжение будет со-
храняться постоянным и равным напряжению на конденсаторе C
2
(участок 2-3 характеристики). Когда входное напряжение достиг-
нет значения U
вх
≤
-U
оп
+ U
C1
, откроется диод D
1
и начнется про-
цесс перезарядки конденсаторов. При этом работа схемы будет
протекать в обратной последовательности. Масштабный усили-
тель ОУ
3
на выходе схемы необходим для изменения наклонов
линейных участков 2-6 и 3-5.
На рис. 7.20 приведена схема перемножения-деления анало-
говых сигналов, построенная на основе логарифмических преоб-
разователей. Схема выполнена на счетверённых операционных
усилителях. Транзисторы T
1
÷ T
4
должны иметь идентичные па-
раметры и должны быть изготовлены в одном технологическом
цикле на одном кристалле. Выходное напряжение усилителя ОУ
1
определяется разностью базо-эмиттерных напряжений транзи-
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
         ных соединениях. Электрическая схема, моделирующая характе-
         ристику люфта, показана на рис. 7.19а. Пусть в начальный мо-
         мент конденсаторы C1 и C2 разряжены. Пока входной сигнал не
         превысит значений +Uоп или -Uоп, выходной сигнал равен нулю,
         так как оба диода D1 и D2 заперты опорным напряжением. Вели-
         чина люфта а (рис.10.19б) моделируется схемой зоны нечувстви-
         тельности. При увеличении входного сигнала Uвх > Uоп диод D2
         отпирается и выходное напряжение начинает изменяться по сле-
         дующему закону (участок характеристики 1-2):
                              U вых = ( С1 R 4 C2 R3 )(U вх − U оп ).



                                                                 Рисунок 7.19 – Схема
                                                                 модели люфта (а) и ее
                                                                 характеристика (б).

                                                        Под действием
                                                    входного напряже-
                                                    ния диод D2 закроет-
                                                    ся напряжением на
                                                    конденсаторе C1. На
                                                    выходе схемы на-
                                                    пряжение будет со-
         храняться постоянным и равным напряжению на конденсаторе C2
         (участок 2-3 характеристики). Когда входное напряжение достиг-
         нет значения Uвх ≤ -Uоп + UC1, откроется диод D1 и начнется про-
         цесс перезарядки конденсаторов. При этом работа схемы будет
         протекать в обратной последовательности. Масштабный усили-
         тель ОУ3 на выходе схемы необходим для изменения наклонов
         линейных участков 2-6 и 3-5.
              На рис. 7.20 приведена схема перемножения-деления анало-
         говых сигналов, построенная на основе логарифмических преоб-
         разователей. Схема выполнена на счетверённых операционных
         усилителях. Транзисторы T1 ÷ T4 должны иметь идентичные па-
         раметры и должны быть изготовлены в одном технологическом
         цикле на одном кристалле. Выходное напряжение усилителя ОУ1
         определяется разностью базо-эмиттерных напряжений транзи-

                                                                                   115

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

Страницы