Основы автоматики. Гордеев А.С. - 143 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МичГАУ | Мичуринск

Составители: 

Рубрика: 

143
аноду, создавая внутри фотоэлемента электрический ток. В настоя-
щее время подобные элементы применяются редко.
Фотоэлемент с внутренним фотоэффектом (рис.9.12) представля-
ет собой фоторезистор, принцип действия которого состоит в том, что
свободные электроны, образующиеся под действием излучения в слое
чувствительного проводника (фоторезиста) 2, остаются (пере-
распределяются) в веществе, резко изменяя его сопротивление R.
Чувствительный материал наносится на изоляционную подложку 1 и
сверху покрыт защитной тонкой прозрачной лаковой пленкой 3. Наи-
более часто применяются сернисто-кадмиевые, сернисто-свинцовые,
сернисто-висмутовые и селенисто-кадмиевые фоторезисторы.
Рисунок 9.12 – Устройство фоторезистора: 1- подложка; 2- фоторезист;
3- защитная пленка; R- сопротивление фоторезистора;
Ф- оптическое излучение.
Фотоэлементы с вентильным фотоэффектом работают на исполь-
зовании явлений, происходящих в переходе р-n под воздействием из-
лучения. Они состоят (рис.9.13): 1- из металлического основания, вы-
полняющего роль нижнего электрода, 2, 3 –полупроводниковых слоев
p и n, оптической линзы 4.
Рисунок 9.13 – Конструкция фотодиода.
P-n переход при облучении сам
генерируют электрическое напряжение.
Как правило, напряжение E, возни-
кающее на переходе, имеет положи-
тельную полярность со стороны облас-
ти n. Это напряжение способно обеспе-
чить протекание тока во внешние цепи. Чем выше интенсивность све-
тового потока, тем больше ток I от него. Схема включения фотодио-
да в режиме генератора приведена на рис.9.14а.
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
       аноду, создавая внутри фотоэлемента электрический ток. В настоя-
       щее время подобные элементы применяются редко.
           Фотоэлемент с внутренним фотоэффектом (рис.9.12) представля-
       ет собой фоторезистор, принцип действия которого состоит в том, что
       свободные электроны, образующиеся под действием излучения в слое
       чувствительного проводника (фоторезиста) 2, остаются (пере-
       распределяются) в веществе, резко изменяя его сопротивление R.
       Чувствительный материал наносится на изоляционную подложку 1 и
       сверху покрыт защитной тонкой прозрачной лаковой пленкой 3. Наи-
       более часто применяются сернисто-кадмиевые, сернисто-свинцовые,
       сернисто-висмутовые и селенисто-кадмиевые фоторезисторы.




            Рисунок 9.12 – Устройство фоторезистора: 1- подложка; 2- фоторезист;
                   3- защитная пленка; R- сопротивление фоторезистора;
                                 Ф- оптическое излучение.

           Фотоэлементы с вентильным фотоэффектом работают на исполь-
       зовании явлений, происходящих в переходе р-n под воздействием из-
       лучения. Они состоят (рис.9.13): 1- из металлического основания, вы-
       полняющего роль нижнего электрода, 2, 3 –полупроводниковых слоев
       p и n, оптической линзы 4.

                                                Рисунок 9.13 – Конструкция фотодиода.

                                          P-n переход при облучении сам
                                   генерируют электрическое напряжение.
                                   Как правило, напряжение E, возни-
                                   кающее на переходе, имеет положи-
                                   тельную полярность со стороны облас-
                                   ти n. Это напряжение способно обеспе-
       чить протекание тока во внешние цепи. Чем выше интенсивность све-
       тового потока, тем больше ток I от него. Схема включения фотодио-
       да в режиме генератора приведена на рис.9.14а.
                                                                                    143

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com

Страницы