ВУЗ:
Составители:
145
Рисунок 9.15 – Схема устройства оптрона.
В настоящее время получили распространение твердотельные
фотоэлектронные приборы с зарядовой связью (ПЗС). Основой ПЗС
является конденсатор МОП-структуры (металл-окисел-
полупроводник). Одной обкладкой конденсатора является металличе-
ский электрод, а второй- полупроводник. Между обкладками нахо-
дится слой окисла полупроводника, рис.9.16.
Рисунок 9.16 – Ячейка конденсатора прибора с заря-
довой связью (МОП-структура): 1- р-
полупроводниковая подложка; 2- окисел полупровод-
ника; 3- металлический электрод; 4- неосновные носи-
тели; 5- обедненная область; 6- основные носители.
Если между электродом и полупроводни-
ковой подложкой, например p-типа, приложить напряжение +U, то в
результате действия электрического поля дырки (основные носите-
ли), находящиеся под электродом, отойдут в толщу слоя полупровод-
ника. При этом под электродом образуется область, обедненная ос-
новными носителями, - потенциальная яма. Изменяя величину на-
пряжения +U можно управлять глубиной потенциальной ямы.
В образовавшейся потенциальной яме происходит накопление
неосновных носителей – электронов, которые могут образовываться
за счет фотоэмиссии в результате засветки МОП- структуры, приме-
няемые в виде линеек и матриц.
ПЗС- линейка (рис.9.17) – это устройство для хранения и пере-
движения зарядовых пакетов вдоль нее, по одной пространственной
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Рисунок 9.15 – Схема устройства оптрона.
В настоящее время получили распространение твердотельные
фотоэлектронные приборы с зарядовой связью (ПЗС). Основой ПЗС
является конденсатор МОП-структуры (металл-окисел-
полупроводник). Одной обкладкой конденсатора является металличе-
ский электрод, а второй- полупроводник. Между обкладками нахо-
дится слой окисла полупроводника, рис.9.16.
Рисунок 9.16 – Ячейка конденсатора прибора с заря-
довой связью (МОП-структура): 1- р-
полупроводниковая подложка; 2- окисел полупровод-
ника; 3- металлический электрод; 4- неосновные носи-
тели; 5- обедненная область; 6- основные носители.
Если между электродом и полупроводни-
ковой подложкой, например p-типа, приложить напряжение +U, то в
результате действия электрического поля дырки (основные носите-
ли), находящиеся под электродом, отойдут в толщу слоя полупровод-
ника. При этом под электродом образуется область, обедненная ос-
новными носителями, - потенциальная яма. Изменяя величину на-
пряжения +U можно управлять глубиной потенциальной ямы.
В образовавшейся потенциальной яме происходит накопление
неосновных носителей – электронов, которые могут образовываться
за счет фотоэмиссии в результате засветки МОП- структуры, приме-
няемые в виде линеек и матриц.
ПЗС- линейка (рис.9.17) – это устройство для хранения и пере-
движения зарядовых пакетов вдоль нее, по одной пространственной
145
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 143
- 144
- 145
- 146
- 147
- …
- следующая ›
- последняя »
