Основы автоматики. Гордеев А.С. - 145 стр.

UptoLike

Составители: 

145
Рисунок 9.15 Схема устройства оптрона.
В настоящее время получили распространение твердотельные
фотоэлектронные приборы с зарядовой связью (ПЗС). Основой ПЗС
является конденсатор МОП-структуры (металл-окисел-
полупроводник). Одной обкладкой конденсатора является металличе-
ский электрод, а второй- полупроводник. Между обкладками нахо-
дится слой окисла полупроводника, рис.9.16.
Рисунок 9.16 Ячейка конденсатора прибора с заря-
довой связью (МОП-структура): 1- р-
полупроводниковая подложка; 2- окисел полупровод-
ника; 3- металлический электрод; 4- неосновные носи-
тели; 5- обедненная область; 6- основные носители.
Если между электродом и полупроводни-
ковой подложкой, например p-типа, приложить напряжение +U, то в
результате действия электрического поля дырки (основные носите-
ли), находящиеся под электродом, отойдут в толщу слоя полупровод-
ника. При этом под электродом образуется область, обедненная ос-
новными носителями, - потенциальная яма. Изменяя величину на-
пряжения +U можно управлять глубиной потенциальной ямы.
В образовавшейся потенциальной яме происходит накопление
неосновных носителей электронов, которые могут образовываться
за счет фотоэмиссии в результате засветки МОП- структуры, приме-
няемые в виде линеек и матриц.
ПЗС- линейка (рис.9.17) это устройство для хранения и пере-
движения зарядовых пакетов вдоль нее, по одной пространственной
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
                            Рисунок 9.15 – Схема устройства оптрона.

           В настоящее время получили распространение твердотельные
       фотоэлектронные приборы с зарядовой связью (ПЗС). Основой ПЗС
       является     конденсатор     МОП-структуры       (металл-окисел-
       полупроводник). Одной обкладкой конденсатора является металличе-
       ский электрод, а второй- полупроводник. Между обкладками нахо-
       дится слой окисла полупроводника, рис.9.16.


                                   Рисунок 9.16 – Ячейка конденсатора прибора с заря-
                                   довой      связью     (МОП-структура):       1-    р-
                                   полупроводниковая подложка; 2- окисел полупровод-
                                   ника; 3- металлический электрод; 4- неосновные носи-
                                   тели; 5- обедненная область; 6- основные носители.


                                 Если между электродом и полупроводни-
       ковой подложкой, например p-типа, приложить напряжение +U, то в
       результате действия электрического поля дырки (основные носите-
       ли), находящиеся под электродом, отойдут в толщу слоя полупровод-
       ника. При этом под электродом образуется область, обедненная ос-
       новными носителями, - потенциальная яма. Изменяя величину на-
       пряжения +U можно управлять глубиной потенциальной ямы.
            В образовавшейся потенциальной яме происходит накопление
       неосновных носителей – электронов, которые могут образовываться
       за счет фотоэмиссии в результате засветки МОП- структуры, приме-
       няемые в виде линеек и матриц.
            ПЗС- линейка (рис.9.17) – это устройство для хранения и пере-
       движения зарядовых пакетов вдоль нее, по одной пространственной

                                                                                    145

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com