Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 10 стр.

     ОСОБЕННОСТИ РЕАЛЬНЫХ р-n-ПЕРЕХОДОВ

    В идеальном p-n-переходе обратный ток уже при срав-
нительно небольшом обратном напряжении не зависит от
значения последнего. Однако при исследованиях реальных p-
n-переходов наблюдается достаточно сильное увеличение
обратного тока при увеличении приложенного напряже-
ния, причем в кремниевых структурах обратный ток на 2—3
порядка выше теплового. Такое отличие эксперимен-
тальных данных от теоретических объясняется термогене-
рацией носителей заряда непосредственно в области />л-
перехода и существованием к а н а л ь н ы х т о к о в и т о к о в
утечки.
    Канальные токи обусловлены наличием поверхностных
энергетических состояний, искривляющих энергетические
зоны вблизи поверхности и приводящих к появлению ин-
версных слоев. Эти слои называют каналами, а токи,
протекающие через переход между инверсным слоем и со-
седней областью,— кан а л ь н ы м и т о к а м и .
    Емкости p-n-перехода. Наряду с электропроводностью р-
n-переход имеет и определенную емкость. Емкостные свой-
ства обусловлены наличием по обе стороны от границы элек-
трических зарядов, которые созданы ионами примесей, а так-
же подвижными носителями заряда, находящимися вблизи
границы p-n-перехода.
    Емкость p-n-перехода подразделяют на две составляющие:
барьерную, отражающую перераспределение зарядов в
p-n-переходе, и диффузионную, отражающую перерас-
пределение зарядов вблизи p-n-перехода. При прямом
смещении перехода в основном проявляется диффузионная
емкость, при обратном (режим экстракции) заряды вблизи
p-n-перехода (в базе) меняются мало и основную роль игра-
ет барьерная емкость.
    Так как внешнее напряжение влияет на ширину p-n-
перехода, значение пространственного заряда и концентра-
цию инжектированных носителей заряда, то емкость p-n-
перехода зависит от приложенного напряжения и его по-
лярности.

10