Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 9 стр.

  Эпитаксиальные диоды обычно имеют малое падение напря-
жения в открытом состоянии и высокое пробивное напряже-
ние.
  Для выпрямительных диодов характерно, что они имеют ма-
лые сопротивления в проводящем состоянии и позволяют про-
пускать большие токи. Барьерная емкость их из-за большой
площади p-n-переходов велика и достигает значений десятков
пикофарад.
  Германиевые выпрямительные диоды могут быть использо-
ваны при температурах, не превышающих 70—80 °С, кремние-
вые—до 120—150 С, арсенид-галлиевые—до 150 °С.


  Основные параметры выпрямительных диодов и их
          значения у маломощных диодов

1.Максимально допустимое обратное напряжение диода
Uобрmax — значение напряжения, приложенного в обратном на-
правлении, которое диод может выдержать в течение длитель-
ного времени без нарушения его работоспособности (десятки
— тысячи В).
2. Средний выпрямленный ток диода Iвп ср — среднее за
период значение выпрямленного постоянного тока, про-
текающего через диод (сотни мА — десятки А).
3.Импульсный прямой ток диода Iпр и— пиковое значение им-
пульса тока при заданной       максимальной длительности,
скважности и формы импульса.
4. Средний обратный ток диода Iобр ср — среднее за период
значение обратного тока (доли мкА — несколько мА).
5. Среднее прямое напряжение диода при заданном среднем
значении прямого тока Uпр ср (доли В).
6. Средняя рассеиваемая мощность диода Рср д — средняя
за период мощность, рассеиваемая диодом, при протека-
нии тока в прямом и обратном направлениях (сотни мВт —
десятки и более Вт).
7. Дифференциальное сопротивление диода rдиф — отношение
приращения напряжения на диоде к вызвавшему его малому
приращению тока (единицы — сотни Ом).

                                                        9