Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

нения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в нее
неосновных носителей заряда и наличия в базе внутреннего
поля, возникающего при большом коэффициенте инжекции.
С учетом падения напряжения на базе диода запишем уравне-
ние прямой ветви вольт-амперной характеристики диода:
I=I
T
(e
(U-Irб)/φT
-1) (1.3)
где r
б
— омическое сопротивление базы диода.
Рис. 1.1. Вольтамперные характеристики германиевого (а) и
кремниевого (б) диодов; условное обозначение (в)
Прологарифмировав (1.3), найдем падение напряжения на
диоде:
U=[φ
Τ
In(I/I
T
+1)]+I* rб. (1.4)
Для малых токов I (1.4) имеет вид
U≈φ
Τ
In(I/I
T
+1).
Падение напряжения на диоде U зависит от тока I,
протекающего через него, и имеет большее значение у
диодов с малым 1
Т
. Так как у кремниевых диодов те-
пловой ток 1
Т
мал, то и начальный участок прямой ветви
характеристики значительно более пологий, чем у герма-
ниевых (рис.1.1.). При увеличении температуры прямая
ветвь характеристики становится более крутой из-за увеличе-
ния 1
Т
и уменьшения сопротивления базы. Падение напря-
жения, соответствующее тому же значению прямого тока,
7
нения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в нее
неосновных носителей заряда и наличия в базе внутреннего
поля, возникающего при большом коэффициенте инжекции.
 С учетом падения напряжения на базе диода запишем уравне-
ние прямой ветви вольт-амперной характеристики диода:
                 I=IT(e(U-Irб)/φT-1)  (1.3)
где rб — омическое сопротивление базы диода.




Рис. 1.1. Вольтамперные характеристики германиевого (а) и
кремниевого (б) диодов; условное обозначение (в)
  Прологарифмировав (1.3), найдем падение напряжения на
диоде:
             U=[φΤ In(I/IT+1)]+I* rб.    (1.4)
  Для малых токов I (1.4) имеет вид
                     U≈φ Τ In(I/IT+1).
   Падение напряжения на диоде U зависит от тока I,
протекающего через него, и имеет большее значение у
диодов с малым 1 Т . Так как у кремниевых диодов те-
пловой ток 1Т мал, то и начальный участок прямой ветви
характеристики значительно более пологий, чем у герма-
ниевых (рис.1.1.). При увеличении температуры прямая
ветвь характеристики становится более крутой из-за увеличе-
ния 1Т и уменьшения сопротивления базы. Падение напря-
жения, соответствующее тому же значению прямого тока,

                                                         7

Страницы