Электроника. Электронная лаборатория на IBM PC. Система моделирования Electronics Workbench. Горева Т.И - 5 стр.

                Лабораторная работа №1.

        Исследование полупроводникового диода.

 Цель работы. приобретение навыков расчетов и эксперимен-
тального исследования электрических цепей с полупроводни-
ковыми диодами.
                     Краткая теория.

            ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

  Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый
прибор с одним электрическим p-n-переходом и двумя выво-
дами.
  В зависимости от технологических процессов, использован-
ных при их изготовлении, различают точечные диоды, сплав-
ные и микросплавные, с диффузионной базой, эпитаксиальные
и др.
По функциональному назначению диоды делят на выпрями-
тельные, универсальные, импульсные, смесительные, детек-
торные, модуляторные, переключающие, умножительные, ста-
билитроны (опорные), туннельные, параметрические, фотоди-
оды, светодиоды, магнитодиоды, диоды Ганна и т. д.
  Большинство полупроводниковых диодов выполняют на ос-
нове несимметричных p-n-переходов. Низкоомную область
диодов называют эмиттером, а высокоомную — базой. Для
создания переходов с вентильными свойствами используют p-
n-,p-i-,n-i-переходы, а также переходы металл — полупровод-
ник.
  В реальных диодах прямая и обратная ветви вольт-амперной
характеристики отличаются от идеализированной. Это обу-
словлено тем, что тепловой ток IТ при обратном включении
составляет лишь часть обратного тока диода. При прямом
включении существенное влияние на ход вольт-амперной ха-
рактеристики оказывает падение напряжения на сопротивле-
нии базы диода, которое начинает проявляться уже при токах,
превышающих 2—10 мА.
  При практическом использовании диодов выделять состав-
ляющие, которые искажают идеализированную вольт-ам-
                                                         5