Разработка цифровых устройств на ПЛИС. Гурин Е.И - 28 стр.

 сигнала на заданный контакт и возникновения из-за этого ошибок вывести
 сигнал на ближайший контакт.
         2. Исследовать блок памяти RAM16X8S. По адресам 0 . . . 15
 записать числа (i+3)*A+1, где i – номер варианта, A - адрес, а затем считать
 эти числа из памяти. Реализовать схему на микросхеме XC2S15-5VQ100.
 Исследовать результаты размещения схемы в кристалле, в том числе
 размещение входных и выходных сигналов на контактах ПЛИС.
 Просмотреть результаты размещения с помощью программы Floor Planner.
         3. Исследовать заданный в таблице 3-3 блок памяти. По указанным в
 таблице адресам записать числа (i+1)*A+7, а затем считать эти числа из
 памяти. (Если числа не умещаются в разрядную сетку, то брать нужное
 количество младших разрядов)
              Таблица 3-3

Вар.          Блок          Адреса       Вар.         Блок           Адреса
 1       RAMB4_S8_S8         12-27         6     RAMB4_S4_S4           5-20
 2     RAMB4_S16_S16         36-51         7     RAMB4_S8_S8           7-22
 3       RAMB4_S4_S4          3-19         8    RAMB4_S16_S16         60-75
 4       RAMB4_S8_S8         25-40         9     RAMB4_S4_S4           2-17
 5     RAMB4_S16_S16         30-45        10     RAMB4_S8_S8          34-49
         4. На основе заданного в п. 3 блока разработать буферное ЗУ типа
 FIFO,      емкостью     (15 - i) + 8   слов.   Сформировать       тестовые
 последовательности и выполнить моделирование. Реализовать схему на
 микросхеме XC2S15-5VQ100. Исследовать результаты размещения схемы
 в кристалле, в том числе размещение входных и выходных сигналов на
 контактах ПЛИС. Просмотреть результаты размещения с помощью
 программы Floor Planner.
         5. Задать ПЛИС XC3S500E-4FG320, в режиме функционального
 моделирования исследовать блок RAMB16_S4, записав данные, указанные




                                         28