Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 225 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

225
необходимый для усиления когерентного излучения?
А) С помощью зеркала.
Б) Путем шлифовки граней кристалла.
В) Нанесением специального покрытия.
Г) Все выше перечисленные.
3. Какая область является активной в полупроводниковом лазере?
А) p n переход.
Б) р типа.
В) n типа.
Г) Все выше перечисленные.
4. Какие преимущества дает реализация полупроводникового лазера на ге
-
тероструктурах?
А) Уменьшение пороговой плотности тока.
Б) Снижение входного сопротивления.
В) Снижение входного тока.
Г) Все выше перечисленные.
5. Какие группы светодиодов не используются в волоконной оптике?
А) Красного цвета свечения.
Б) Оранжевого и желтого цвета свечения.
В) Зеленого цвета свечения.
Г) Голубого и фиолетового цвета свечения.
6. На какой подложке формируются прямозонные светодиоды (красного
излучения)?
А) GaAs.
Б) GaP.
В) GaN.
Г) ZnTe.
Глава 5
необходимый для усиления когерентного излучения?

   А) С помощью зеркала.
   Б) Путем шлифовки граней кристалла.
   В) Нанесением специального покрытия.
   Г) Все выше перечисленные.

   3. Какая область является активной в полупроводниковом лазере?

   А) p n переход.
   Б) р типа.
   В) n типа.
   Г) Все выше перечисленные.

    4. Какие преимущества дает реализация полупроводникового лазера на ге-
тероструктурах?

   А) Уменьшение пороговой плотности тока.
   Б) Снижение входного сопротивления.
   В) Снижение входного тока.
   Г) Все выше перечисленные.

   5. Какие группы светодиодов не используются в волоконной оптике?

   А) Красного цвета свечения.
   Б) Оранжевого и желтого цвета свечения.
   В) Зеленого цвета свечения.
   Г) Голубого и фиолетового цвета свечения.

    6. На какой подложке формируются прямозонные светодиоды (красного
излучения)?

   А) GaAs.
   Б) GaP.
   В) GaN.
   Г) ZnTe.



Глава 5




                                     225