Составители:
Рубрика:
225
необходимый для усиления когерентного излучения?
А) С помощью зеркала.
Б) Путем шлифовки граней кристалла.
В) Нанесением специального покрытия.
Г) Все выше перечисленные.
3. Какая область является активной в полупроводниковом лазере?
А) p n переход.
Б) р типа.
В) n типа.
Г) Все выше перечисленные.
4. Какие преимущества дает реализация полупроводникового лазера на ге
-
тероструктурах?
А) Уменьшение пороговой плотности тока.
Б) Снижение входного сопротивления.
В) Снижение входного тока.
Г) Все выше перечисленные.
5. Какие группы светодиодов не используются в волоконной оптике?
А) Красного цвета свечения.
Б) Оранжевого и желтого цвета свечения.
В) Зеленого цвета свечения.
Г) Голубого и фиолетового цвета свечения.
6. На какой подложке формируются прямозонные светодиоды (красного
излучения)?
А) GaAs.
Б) GaP.
В) GaN.
Г) ZnTe.
Глава 5
необходимый для усиления когерентного излучения?
А) С помощью зеркала.
Б) Путем шлифовки граней кристалла.
В) Нанесением специального покрытия.
Г) Все выше перечисленные.
3. Какая область является активной в полупроводниковом лазере?
А) p n переход.
Б) р типа.
В) n типа.
Г) Все выше перечисленные.
4. Какие преимущества дает реализация полупроводникового лазера на ге-
тероструктурах?
А) Уменьшение пороговой плотности тока.
Б) Снижение входного сопротивления.
В) Снижение входного тока.
Г) Все выше перечисленные.
5. Какие группы светодиодов не используются в волоконной оптике?
А) Красного цвета свечения.
Б) Оранжевого и желтого цвета свечения.
В) Зеленого цвета свечения.
Г) Голубого и фиолетового цвета свечения.
6. На какой подложке формируются прямозонные светодиоды (красного
излучения)?
А) GaAs.
Б) GaP.
В) GaN.
Г) ZnTe.
Глава 5
225
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 223
- 224
- 225
- 226
- 227
- …
- следующая ›
- последняя »
