Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

64
90
0
80
0
70
0
60
0
50
0
40
0
30
0
20
0
10
0
0
0 0,5
10
0
20
0
30
0
90
0
80
0
70
0
60
0
50
0
40
0
АЛ112
Рис. 4.7. Диаграмма направленности излучения красного светодиода АЛ112
4.4.2. Светодиоды инфракрасного диапазона
Областями применения светодиодов ИК-излучения являются
оптроэлектронные устройства коммутации, оптические линии связи, системы
дистанционного управления. Наиболее распространенный в настоящее время
инфракрасный источник — это светодиод на основе GaAs (ë = 0,9 мкм). Он
обладает наибольшей эффективностью электролюминесценции в oсновном
благодаря тому, что среди всех прямозонных полупроводников GaAs является
технологически наиболее освоенным. Для изготовления инфракрасных
светодиодов используются многие другие полупроводники, имеющие
запрещенную зону шириной менее 1,5 эВ. К ним относятся твердые растворы,
в состав которых входят три или четыре элемента III и V групп периодической
системы. Среди них твердый раствор переменного состава GaInAsP
(ë = 1,0 – 1,3 мкм), наиболее популярный Ga
0,28
In
0,72
As
0,6
P
0,4
(ë = 1,26 мкм).
4.4.3. Голубые светодиоды на соединениях нитрида галлия
Нитриды элементов третьей группы (GaN, AlN, InN) и тройные
соединения на их основе являются широкозонными полупроводниками
с прямыми оптическими переходами. На рисунке 4.8 показаны значения
ширины запрещенной зоны для этих полупроводников. Как следует из данных,
приведенных на рисунке 4.8, нитрид галлия и тройные соединения на его
основе являются наиболее перспективными материалами для изготовления
голубых светодиодов и светодиодов ультрафиолетовой области света.
Реализация этих приемуществ значительное время сдерживалась
технологическими трудностями получения высококачественных пленок GaN.
Эти трудности были обусловлены высокой температурой плавления GaN,
рассогласованием параметров решеток и коэффициентов теплового расширения 
                         300   200 100    0     100   200     300
                   400                                              400


                   500                        АЛ112                 500

                   600                                              600
                   700                                              700
                   800                                              800
                   900                                              900
                                          0                 0,5
Рис. 4.7. Диаграмма направленности излучения красного светодиода АЛ112


4.4.2. Светодиоды инфракрасного диапазона
     Областями       применения    светодиодов       ИК-излучения         являются
оптроэлектронные устройства коммутации, оптические линии связи, системы
дистанционного управления. Наиболее распространенный в настоящее время
инфракрасный источник — это светодиод на основе GaAs (ë = 0,9 мкм). Он
обладает наибольшей эффективностью электролюминесценции в oсновном
благодаря тому, что среди всех прямозонных полупроводников GaAs является
технологически наиболее освоенным. Для изготовления инфракрасных
светодиодов используются многие другие полупроводники, имеющие
запрещенную зону шириной менее 1,5 эВ. К ним относятся твердые растворы,
в состав которых входят три или четыре элемента III и V групп периодической
системы. Среди них твердый раствор переменного состава GaInAsP
(ë = 1,0 – 1,3 мкм), наиболее популярный Ga0,28In0,72As0,6P0,4 (ë = 1,26 мкм).

4.4.3. Голубые светодиоды на соединениях нитрида галлия
    Нитриды элементов третьей группы (GaN, AlN, InN) и тройные
соединения на их основе являются широкозонными полупроводниками
с прямыми оптическими переходами. На рисунке 4.8 показаны значения
ширины запрещенной зоны для этих полупроводников. Как следует из данных,
приведенных на рисунке 4.8, нитрид галлия и тройные соединения на его
основе являются наиболее перспективными материалами для изготовления
голубых светодиодов и светодиодов ультрафиолетовой области света.
    Реализация этих приемуществ значительное время сдерживалась
технологическими трудностями получения высококачественных пленок GaN.
Эти трудности были обусловлены высокой температурой плавления GaN,
рассогласованием параметров решеток и коэффициентов теплового расширения


                                         64

Страницы