Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 65 стр.

GaN с сапфиром, кремнием и другими базовыми полупроводниковыми
подложками. В середине девяностых годов был реализован светодиод на основе
гетероструктуры InGaN/GaN с эмиссией излучения в планарном направлении.
Особенностью таких светодиодов является высокая интенсивность
люминесценции, достигающая (2 – 3) кд и высоким значением квантового
выхода ç = 5,4 %. На рисунке 4.8 показана типичная структура светодиода с
планарной генерацией излучения на основе GaN. [27, 49]




           Прозрачный электрод




                              p-GaN - контактный слой

                                 p-AlGaN - эмиттер


                    n-GaN - контактный слой
                                                      InGaN
                         Сапфировая подложка

Рис. 4.8. Типовая структура светодиода с планарной генерацией излучения на основе
гетероструктур InGaN/GaN [27, 49]

    Внутренний слой InGaN имеет меньшую ширину запрещенной зоны, чем
наружный слой GaN, поэтому верхний электрод является прозрачным для
оптического излучения видимого диапазона.
    Рабочая структура синих и зеленых светодиодов на основе соединений
GaN приведена на рисунке 4.9.




                                          65