Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 70 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

70
плотность тока достигает большой величины ( ~ 10
5
А/см для GaAs) и лазер
быстро выходит из строя от перегрева. Работоспособен такой лазер только в
импульсном режиме, а для непрерывного режима излучения необходимо глу-
бокое охлаждение.
Лазер на двойном гетеропереходе
Ограничений, отмеченных в п. 2.4.1., удалось избежать в конструкции
лазера на двойном гетеропереходе (ДГ). Схематично одна из типичных
конструкций такого лазера изображена на рис.2.4.2.
n p p
+
Al
x
1
Ga
1-x
1
As Al
x
2
Ga
1-x
2
AsGaAs
V
G
V
G
>0
E
g
1
E
g
2
hν=E
g
2
E
g
3
E
c
E
i
E
v
F
j
n
j
p
а
б
в
г
13 мкм
1,5
1
1
0,1
-
0,5
Металлизированная
пов
ерхность
Подложка GaAs
Окисе
л
Металлизированный слой
Медный теплоотво
д
GaAs (p)
Активная область GaAs (n)
Al
0,3
Ga
0,7
As (n)
Al
0,3
Ga
0,7
As (p)
Рис. 4.12. Схема полупроводникового лазера на двойном гетеропереходе. Активная
область - слой из GaAs (n)
В этом лазерном диоде реализованы два перехода между различными ма-
плотность тока достигает большой величины ( ~ 105 А/см для GaAs) и лазер
быстро выходит из строя от перегрева. Работоспособен такой лазер только в
импульсном режиме, а для непрерывного режима излучения необходимо глу-
бокое охлаждение.

Лазер на двойном гетеропереходе
    Ограничений, отмеченных в п. 2.4.1., удалось избежать в конструкции
лазера на двойном гетеропереходе (ДГ). Схематично одна из типичных
конструкций такого лазера изображена на рис.2.4.2.
                                  n                 p                p+

                         Alx1Ga1-x1As         GaAs            Alx2Ga1-x2As             VG


              а
                                                                                Ec

                                                                                Ei
                                                Eg2                Eg3
                                                                                Ev
                                                                                F
                            Eg1

              б


                                      jn


                                                        hν=Eg2
                                                                                      VG>0
              в                                               jp


                                                                          Металлизированная
                                                                             поверхность
                                                                          Подложка GaAs
                     1
               0,1-0,5
                                                                          Al0,3Ga0,7As (n)
                     1
                                                                          Активная область GaAs (n)
                   1,5
                                                                          Al0,3Ga0,7As (p)
                                                                          GaAs (p)
                                                                          Окисел

                                                                          Металлизированный слой


                                           13 мкм                         Медный теплоотвод
              г
Рис. 4.12. Схема полупроводникового лазера на двойном гетеропереходе. Активная
область - слой из GaAs (n)

    В этом лазерном диоде реализованы два перехода между различными ма-


                                                         70

Страницы