Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 72 стр.

ти перехода. Две другие грани делаются шероховатыми для того, чтобы исклю-
чить излучение в направлениях, не совпадающих с главным. Такая структура
называется резонатором Фабри-Перо.
    Смещение лазерного диода в прямом направлении вызывает протекание
тока. Вначале, при низких значениях тока, возникает спонтанное излучение,
распространяющееся во всех направлениях. При увеличении смещения ток
достигает порогового значения, при котором создаются условия для стимули-
рованного излучения, и р-n переход испускает монохроматичный строго на-
правленный луч света.
                                           Ток
             необработанная   контакт
                                                 активная
              поверхность                   I     область
                                                          p-тип



                                                                   когерентное
                                                                    излучение
                                                           n-тип
                                                 контакт
                      оптически ровные и
                      параллельные грани
Рис. 4.13.

    С целью уменьшения пороговой плотности тока были реализованы лазе-
ры на гетероструктурах (с одним гетеропереходом - nGaAs-pGaAs-Al(x)Ga(1-
x)As; c двумя гетеропереходами - Al(x)Ga(1-x)As-GaAs-Al(x)Ga(1-x)As).
    В структуре с двумя гетеропереходами носители сосредоточены внутри
активной области d, ограниченной с обеих сторон потенциальными барьера-
ми; излучение также ограничено этой областью вследствие скачкообразного
уменьшения показателя преломления за ее пределы. Эти ограничения способс-
твуют усилению стимулированного излучения и соответственно уменьшению
пороговой плотности тока.
    На рис. 2.4.4 приведена зависимость Jth от рабочей температуры для трех
лазерных структур. Самая слабая зависимость от температуры наблюдается
для лазеров на двойных гетероструктурах (ДГ-лазерах). Поскольку Jth в ДГ-
лазерах при 300К может достигать значений порядка 103 А/см2 и менее, оказы-
вается возможным реализовать режим непрерывной генерации при комнатной
температуре. Благодаря этому лазеры нашли широкое применение в науке и
промышленности, в частности в ВОЛС.




                                           72