Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

73
100
10
2
10
3
10
4
5
.
10
4
200 300 T,
К
Гомоструктура
Структу
ра с одним
гетеропереходом (d = 5 мкм)
Двойная гетероструктура
(d = 0,5 мкм)
Пороговая
плотность тока, А/см
2
Резонатор Фабри-Перо (L = 400 мкм)
Рис. 4.14.
4.x.x Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах
Ученым из компании Bell Labs удалось разработать лазер нового поколения,
используя в качестве полупроводника для изготовления многокаскадного
полупроводникового лазера фотонные кристаллы. Полученный лазер обладает
уникальными свойствами. Например, его излучение может быть направлено
в любом, заранее выбранном, направлении, что позволяет встраивать его в
обычную полупроводниковую микросхему.
Рис. 4.15.
Обычный многокаскадный полупроводниковый лазер, представляющий
собой набор слоев из тонких полупроводниковых пластин, может излучать
свет лишь в стороны, как показано на втором рисунке. Новый лазер на фото-
ных кристаллах избавлен от этого недостатка и может излучать свет в любом,
заранее выбранном направлении.
                     Пороговая
                     плотность тока, А/см2

                                             Гомоструктура
             5.104

              104
                                                      Структура с одним
                                                      гетеропереходом (d = 5 мкм)

              103                                     Двойная гетероструктура
                                                           (d = 0,5 мкм)


              102
                           100             200               300                    T, К
                                 Резонатор Фабри-Перо (L = 400 мкм)
Рис. 4.14.


4.x.x Полупроводниковые лазеры на фотонных кристаллах
    Ученым из компании Bell Labs удалось разработать лазер нового поколения,
используя в качестве полупроводника для изготовления многокаскадного
полупроводникового лазера фотонные кристаллы. Полученный лазер обладает
уникальными свойствами. Например, его излучение может быть направлено
в любом, заранее выбранном, направлении, что позволяет встраивать его в
обычную полупроводниковую микросхему.




Рис. 4.15.

    Обычный многокаскадный полупроводниковый лазер, представляющий
собой набор слоев из тонких полупроводниковых пластин, может излучать
свет лишь в стороны, как показано на втором рисунке. Новый лазер на фото-
ных кристаллах избавлен от этого недостатка и может излучать свет в любом,
заранее выбранном направлении.

                                                 73

Страницы