Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 75 стр.

ные массивы подобных лазерных излучателей, будут широко применяться в
оптических телекоммуникациях, а также в качестве чувствительных сенсо-
ров для различных датчиков. Сейчас ученые пытаются добиться повышения
мощности нового лазера, а также пытаются его модернизировать. “Если нам
удастся заполнить крошечные отверстия фотонного кристалла какой-нибудь
жидкостью или другим веществом, то мы можем получить совершенно новые
физические эффекты, которые откроют для нашего лазера новые области при-
менения”, - заявил Федерико Капассо, член команды разработчиков [5]

4.x.x. Применение полупроводниковых лазеров
     Полупроводниковые лазеры находят применение в различных областях
оптоэлектроники и систем записи и считывания информации. Впервые в ши-
роких масштабах эти лазеры начали использоваться в качестве считывающей
головки в компакт-дисковых системах. Теперь область применения включает
в себя оптические диски для постоянных и одноразовых запоминающих ус-
тройств. Лазеры на сплавах GaInP или AlGaInP имеют излучение в видимой
области оптического спектра, что позволило считывать более плотно записан-
ную информацию.
     Вторая область применения - волоконно-оптическая связь, где чаще всего
используются лазеры на GaAs. В будущем, наверное, для этих целей больше
подойдет лазер на четверном сплаве InGaAsP с большим сроком службы (око-
ло 5⋅105 часов). Широко применяются лазеры на GaAs для накачки твердотель-
ных Nd: YAG-лазеров при продольной конфигурации. Для этого используются
линейки из диодных лазеров, в которых при некоторых конструктивных реше-
ниях (разработка линеек диодов с отдельными лазерными каналами, но синх-
ронизированными по фазе) удалось поднять выходную мощность от 50 мВт до
2 Вт.
     Можно сказать в заключение, что область применения подобных лазеров
постоянно расширяется и в настоящее время значительная часть оптоэлект-
ронных изделий не мыслима без использования полупроводниковых лазеров.
[3]
     В бытовых целях можно привести применение полупроводникового лазе-
ра в указке. Лазерная указка состоит из лазерного светодиода и источника пи-
тания - батарейки. Диод изготовлен из слоев полупроводников разных типов,
например, арсенида галлия. Если в прямом направлении приложить напряже-
ние, то возникает инверсия населенностей. Значит, для накачки электрический
ток, и она осуществляется за счет рекомбинации используется основных и не-
основных носителей на границе pn-перехода.




                                       75