Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 76 стр.

Рис. 4.16. Внешний вид лазерной указки

    Усиление осуществляется в процессе многократного отражения света при
его распространении вдоль полупроводникового перехода. Мода излучения
выбирается углом скола торцов кристалла. В самых распространенных “ин-
жекционных” лазерах при большом прямом токе происходит инжекция избы-
точных электронов и дырок в слой, прилегающий к p-n переходу. Там элект-
роны и дырки рекомбинируют и излучают. Характерная частота света зависит
от разности энергий между валентной зоной и зоной проводимости. Для арсе-
нида галлия это 1,5 эВ, что соответствует ближнему ИК спектру. В настоящее
время уже умеют делать лазерные диоды и на видимый, и даже на ближний
УФ диапазон мощностью в сотни милливатт. Коэффициент полезного дейс-
твия достигает 50%.
       Технические характеристики лазерной указки:
       Длина волны: 630-680 нм.
       Выходная мощность: 3 мВт (класс IIIa).
       Масса: 20 - 30 г
       Стандарты безопасности: FDA, CE, GS, EMC, LVD, CSA [6]

Контрольные вопросы
4.1. Каковы критерии выбора полупроводниковых материалов для
оптоэлектронных приборов?
4.2. В какой области светодиодов происходит генерация оптического
излучения?
4.3. Назовите три условия, необходимые для генерации когерентного излучения
в полупроводниковых лазерах на основе p-n перехода.
4.4. Как можно реализовать одностороннюю инжекцию в гомо- и
гетеропереходах?
4.5. Как отличается спектр излучения светодиода и полупроводникового
лазера?

                                         76