Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 77 стр.

    4.6. В чем преимущество полупроводникового лазера с двойным
гетеропереходом  перед  полупроводниковым    лазером   с  одним
гетеропереходом?

Задачи
4.1. Эффективность преобразования внешней (электрической) мощности
планарного GaAs светодиода h равна 1,5 % при прямом токе I = 50 мА и
разности потенциалов U = 2 В. Оценить генерируемую прибором оптическую
мощность Pi, если коэффициент отражения R на границе GaAs – воздух равен
R = 0,8. Коэффициент преломления GaAs n = 3,6.
4.2. Оценить эффективность преобразования внешней мощности планарного
GaAs светодиода η, когда внутренняя оптическая мощность Pi составляет 30 %
от приложенной электрической мощности. Коэффициент преломления GaAs
n = 3,6.
4.3. Рекомбинационное время жизни неосновных носителей заряда фотодиода
τ = 5 нс. При протекании постоянного тока оптическая выходная мощность
равна Pdc = 300 мкВт. Определить выходную мощность Pf, когда сигнал через
диод модулирован на частоте 20 МГц и 100 МГц.
     4.4. Ширина запрещенной зоны слаболегированного GaAs при комнатной
температуре 1,43 эВ. Когда материал сильно легирован (до вырождения)
появляются “хвосты состояний”, которые эффективно уменьшают ширину
запрещенной зоны на 8 %. Определить разницу в излучаемой длине волны
света в случае слабого и сильного легирования.




                                      77