Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 83 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

83
Изменение удельной фотопроводимости Äó
0
резистора при освещении
в следствие изменения концентрации неравносесных носителей будет
описываться соотношением
0
( (1 ),
n p p
q n p q p b
σ µ µ µ
∆ = ∆ + ∆ ) = ∆ +
(5.9)
где b – отношение подвижностей электронов и дырок.
Полный ток I через резистор при величине внешнего напряжения U будет
определяться суммой темнового I
T
тока и фототока I
Ф
0 T �
( ) .I U I I
σ σ
= + ∆ = +
(5.10)
Величина темнового I
T
тока определяется темновым омическим
сопротивлением резистора , который при использовании геометрии
фоторезистора, приведенной на рисунке 5.4б, будет
T 0
w d
I U
l
σ
⋅
= ⋅ ⋅
(5.11)
где w – толщина, d – ширина, l – длина фоторезистора.
В стационарных условиях при освещении фоторезистора из уравнения
непрерывности получаем
n
dn n
G
dt
τ
∆
= − = 0
(5.12)
Следовательно, изменения концентрации основных носителей Än
n
будет
n n n
,n G �
τ ηα τ
∆ = =
(5.13)
поскольку темп генерации в случае однородного поглощения света в
фоторезисторе будет
.G �
ηα
=
(5.14)
В выражениях (5.13) и (5.14) использованы следующие обозначения:
ç – квантовый выход (число неравновесных носителей, генерируемых при
поглощении одного кванта), á – коэффициент поглощения, Ф – световой поток
(число падающих фотонов на единицу площади).
При освещении изменение фотопроводимости Äó будет
0
.
w d
l
σ σ
⋅
∆ = ∆
(5.15)
Согласно определению токовой чувствительности для фоторезистора,
получаем
0
(1 ) .
i p
I
I w d w d
S U Uq b
P P l P l P
σ
µ ηα
∆
∆
∆ ⋅ ⋅
= = = = +
(5.16)
    Изменение удельной фотопроводимости Äó0 резистора при освещении
в следствие изменения концентрации неравносесных носителей будет
описываться соотношением
  ∆σ 0 = q (∆nµn + ∆p µ p ) = q∆p µ p (1 + b),
                                                                      (5.9)
где b – отношение подвижностей электронов и дырок.
    Полный ток I через резистор при величине внешнего напряжения U будет
определяться суммой темнового IT тока и фототока IФ
                  I = U (σ + ∆σ 0 ) = I T + I � .
                                                             (5.10)
    Величина темнового IT тока определяется темновым омическим
сопротивлением резистора , который при использовании геометрии
фоторезистора, приведенной на рисунке 5.4б, будет
                                   w⋅d
                      IT = σ 0 ⋅       ⋅U
                                    l
                                                         (5.11)
    где w – толщина, d – ширина, l – длина фоторезистора.
    В стационарных условиях при освещении фоторезистора из уравнения
непрерывности получаем
                              dn     ∆n
                                 =G−    =0
                              dt     τn
                                                    (5.12)
    Следовательно, изменения концентрации основных носителей Änn будет
     ∆nn = Gτ n = ηα �τ n ,
                            (5.13)
   поскольку темп генерации в случае однородного поглощения света в
фоторезисторе будет
     G = ηα �.
                   (5.14)
    В выражениях (5.13) и (5.14) использованы следующие обозначения:
ç – квантовый выход (число неравновесных носителей, генерируемых при
поглощении одного кванта), á – коэффициент поглощения, Ф – световой поток
(число падающих фотонов на единицу площади).
    При освещении изменение фотопроводимости Äó будет
                 w⋅d
     ∆σ = ∆σ 0       .
                  l
                       (5.15)
    Согласно определению токовой чувствительности для фоторезистора,
получаем
            ∆I ∆I � w ⋅ d ∆σ 0 w ⋅ d                 �
     Si =     =    =     U    =      Uq µ p (1 + b)ηα .
            P   P    l     P    l                    P
(5.16)


                                              83

Страницы