Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 92 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

92
}
Обедненная область W
Si
3
N
4
SiO
2
p
+
n
+
n
+
p контакт
n контакт
Рис. 5.12. Конструкция p-i-n фотодиода
Введение слоя собственного полупроводника между p- и n-слоями
примесного полупроводника позволяет существенно увеличить размер области
пространственного заряда.
hν
p
i
n
x
E
Рис. 5.13. Принцип действия p-i-n фотодиода
В i-слое свободные носители практически отсутствуют и силовые линии
электрического поля, начинающие с доноров в n-области, без экранировки
проходят через i-слой и заканчиваются на акцепторах p-области.
Ширина i-слоя составляет обычно 500–700 мкм. В отличие от i-зоны,
легированные слои сделаны очень тонкими. Все вместе это сделано для того,
чтобы все оптическое излучение поглощалось в i-слое и сокращалось время
переноса зарядов из i-зоны в легированные области.
В результате падающие фотоны возбуждают ток во внешнем контуре более 
                                                     Si3N4
                                                             p контакт
                                                     p+
                                                                    SiO2




                                                             }
                                                                         n+

                          Обедненная область W

                                                                         n+

                                                             n контакт



Рис. 5.12. Конструкция p-i-n фотодиода
    Введение слоя собственного полупроводника между p- и n-слоями
примесного полупроводника позволяет существенно увеличить размер области
пространственного заряда.
                           hν
                                                          E

                                p



                                i



                               n

                                                 x


Рис. 5.13. Принцип действия p-i-n фотодиода
    В i-слое свободные носители практически отсутствуют и силовые линии
электрического поля, начинающие с доноров в n-области, без экранировки
проходят через i-слой и заканчиваются на акцепторах p-области.
    Ширина i-слоя составляет обычно 500–700 мкм. В отличие от i-зоны,
легированные слои сделаны очень тонкими. Все вместе это сделано для того,
чтобы все оптическое излучение поглощалось в i-слое и сокращалось время
переноса зарядов из i-зоны в легированные области.
    В результате падающие фотоны возбуждают ток во внешнем контуре более


                                         92

Страницы