Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 93 стр.

эффективно и с меньшим запаздыванием. Носители, образующиеся внутри
обедненной зоны, мгновенно сдвигаются в сильном электрическом поле к p- и
n-областям диода соответственно.
    Квантовая эффективность таких диодов обычно достигает 80 %. Для
диодов, сконструированных для применения в оптоволоконных линиях емкость
перехода равна 0,2 пФ, при рабочей поверхности диода 200 мкм.




Рис. 5.14. p-i-n фотодиод SHF 202 [68]
     Итак, основное преимущество p-i-n фотодиода заключается в высоких
скоростях переключения, так как поглощение излучения происходит в i-слое,
где за счет дрейфового переноса реализуются высокие скорости для носителей
заряда.
     Другим преимуществом является высокая квантовая эффективность,
поскольку толщина i-слоя обычно больше обратного коэффициента поглощения
и все фотоны поглощаются в i-слое.
     Использование гетеропереходов для p-i-n фотодиодов позволяет избежать
поглощения света в базе фотодиода.

5.4.5. Лавинные фотодиоды
   Лавинный фотодиод – это фотоприемник, в котором повышение квантовой
эффективности реализуется за счет внутреннего усиления благодаря лавинному
умножению в обратносмещенном p-n переходе.




                                         93