Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 95 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

95
последующим созданием n
+
– слоя на поверхности, полученным при помощи
диффузии или ионной имплантации. Чтобы избежать поверхностного
пробоя n
+
-слой окружен слабо легированным охранным кольцом n-типа.
Область регистрации инфракрасного света имеет диаметр 100 мкм, и из-за
присутствия охранного кольца, она меньше, чем площадь поверхности n
+
–
слоя. Просветляющее покрытие увеличивает квантовую эффективность этого
диода.
Требование высоких значений внутреннего усиления накладывают
достаточно жесткие ограничения на качество и однородность
полупроводникового материала, поскольку коэффициент умножения
экспоненциально сильно зависит от напряженности электрического поля.
Требование высоких обратных напряжений и прецизионной установки
напряжения питания усложняют их эксплуатацию. Обычно сочетают
преимущества лавинного и p-i-n фотоприемника. На рисунке 5.17 как раз
приведена такая конструкция — гетероструктура InGaAsP на подложке InP
позволяет реализовать быстродействующие фотоприемные устройства с
напряжением питания от 300 до 400 вольт.
3 µm
4 µm
2 µm
5 µm
50 µm
100 µm
n контакт
n
+
n
-
n
-
p
+
p
+
Контакт к p
+
- слою
-
-
-
-
-
}
In
0.53
Ga
0.47
As
InP
InP
InP подложка
Световой сигнал
Рис. 5.17. Конструкция лавинного фотодиода на гетероструктуре
5.5. Фототранзисторы
Фототранзистор относится к полупроводниковым фотоэлектрическим
приборам с внутренним усилением фототока. Структура фототранзистора
эквивалентна структуре обычного биполярного p-n-p транзистора, включенного
в схеме с общим эмиттером. В отличие от биполярного транзистора, у
фототранзистора отсутствует электрический контакт к базе, а управление
током базы осуществляется путем изменения ее освещенности. По этой
причине конструктивно фототранзистор имеет только два вывода – эмиттер и
коллектор.
последующим созданием n+ – слоя на поверхности, полученным при помощи
диффузии или ионной имплантации. Чтобы избежать поверхностного
пробоя n+-слой окружен слабо легированным охранным кольцом n-типа.
Область регистрации инфракрасного света имеет диаметр 100 мкм, и из-за
присутствия охранного кольца, она меньше, чем площадь поверхности n+ –
слоя. Просветляющее покрытие увеличивает квантовую эффективность этого
диода.
    Требование высоких значений внутреннего усиления накладывают
достаточно жесткие ограничения на качество и однородность
полупроводникового материала, поскольку коэффициент умножения
экспоненциально сильно зависит от напряженности электрического поля.
    Требование высоких обратных напряжений и прецизионной установки
напряжения питания усложняют их эксплуатацию. Обычно сочетают
преимущества лавинного и p-i-n фотоприемника. На рисунке 5.17 как раз
приведена такая конструкция — гетероструктура InGaAsP на подложке InP
позволяет реализовать быстродействующие фотоприемные устройства с
напряжением питания от 300 до 400 вольт.
                                                                n контакт
                                  100 µm

 3 µm
 4 µm
                                                                n+ -

                                                                n-   -   }   In0.53Ga0.47As


 2 µm                                                           n-   - InP
 5 µm
                                                                p+ - InP
 50 µm
                                                                p+ - InP подложка

                                                                Контакт к p+ - слою




                             Световой сигнал



Рис. 5.17. Конструкция лавинного фотодиода на гетероструктуре


5.5. Фототранзисторы
    Фототранзистор относится к полупроводниковым фотоэлектрическим
приборам с внутренним усилением фототока. Структура фототранзистора
эквивалентна структуре обычного биполярного p-n-p транзистора, включенного
в схеме с общим эмиттером. В отличие от биполярного транзистора, у
фототранзистора отсутствует электрический контакт к базе, а управление
током базы осуществляется путем изменения ее освещенности. По этой
причине конструктивно фототранзистор имеет только два вывода – эмиттер и
коллектор.


                                               95

Страницы