Оптоэлектроника и волоконная оптика. Гуртов В.А. - 97 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПетрГУ | Петрозаводск

Составители: 

Рубрика: 

97
тока.
K � � � K0
( 1) .I I I I I
β β
= + = + +
(5.34)
Используя выражение для коэффициента усиления â базового тока
через конструктивно-технологические параметры биполярного транзистора,
получаем
2
p
K � K0
2
2
.
L
I I I
W
= +
(5.35)
Величина первичного фототока I
Ф
выражается через параметры светового
потока и характеристики полупроводникового материала стандартным
образом
�
p
W
I q p qGW qW
�
ηα
τ
= ∆ = =
(5.36)
На рисунке 5.19 приведена вольт-амперная характеристика фототранзистора
при различных уровнях освещенности.
J
К
-U
К
J
КО
Ф
3
Ф
2
Ф
1
Рис. 5.19. Вольт-амперная характеристика фототранзистора при различных уровнях
освещенности (Ф
3
> Ф
2
> Ф
1
)
Для фототранзисторов, благодаря большому коэффициенту внутреннего
усиления, характерна высокая интегральная чувствительность (отношение
фототока к падающему световому потоку), достигающая 10 А/лм; спектральная
чувствительность определяется свойствами полупроводникового материала.
5.6. МДП-фотоприемники с неравновесным обедне-
нием
тока.
        I K = I � + β I � = ( β + 1) I � + I K0 .
                                          (5.34)
    Используя выражение для коэффициента усиления â базового тока
через конструктивно-технологические параметры биполярного транзистора,
получаем
                  2 Lp 2
        IK = I�            + IK0.
                  W2
                            (5.35)
    Величина первичного фототока IФ выражается через параметры светового
потока и характеристики полупроводникового материала стандартным
образом
                    W
        I� = q∆p           = qGW = qWηα �
                    τp
                                       (5.36)
    На рисунке 5.19 приведена вольт-амперная характеристика фототранзистора
при различных уровнях освещенности.
                         JК
                                                         Ф3


                                                         Ф2


                                                         Ф1
                                                         JКО
                                                           -UК

Рис. 5.19. Вольт-амперная характеристика фототранзистора при различных уровнях
освещенности (Ф3 > Ф2 > Ф1)

    Для фототранзисторов, благодаря большому коэффициенту внутреннего
усиления, характерна высокая интегральная чувствительность (отношение
фототока к падающему световому потоку), достигающая 10 А/лм; спектральная
чувствительность определяется свойствами полупроводникового материала.

5.6. МДП-фотоприемники с неравновесным обедне-
нием


                                                    97

Страницы