Организация вычислительных систем и сетей. Халабия Р.Ф. - 76 стр.

динамической памяти имеют большее время срабатывания (десятки- сотни
наносекунд), но большую удельную плотность (порядка десятков Мбит на
корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется в
качестве основной.
      Обычные виды SRAM и DRAM называют также асинхронными, потому
что установка адреса, подача управляющих сигналов и чтение/запись данных
могут выполняться в произвольные моменты времени - необходимо только
соблюдение временных соотношений между этими сигналами. В эти
временные соотношения включены так называемые охранные интервалы,
необходимые для стабилизации сигналов, которые не позволяют достичь
теоретически возможного быстродействия памяти. Существуют также
синхронные виды памяти, получающие внешний синхросигнал, к импульсам
которого жестко привязаны моменты подачи адресов и обмена данными;
помимо экономии времени на охранных интервалах, они позволяют более
полно использовать внутреннюю конвейеризацию и блочный доступ.
      FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM - динамическая память с быстрым
страничным доступом) активно используется в последние несколько лет.
Память со страничным доступом отличается от обычной динамической памяти
тем, что после выбора строки матрицы и удержании RAS допускает
многократную установку адреса столбца, стробируемого CAS, и также быструю
регенерацию по схем.е "CAS прежде RAS". Первое позволяет ускорить
блочные передачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри
одной строки матрицы, называемой в этой системе страницей, а второе -
снизить накладные расходы на регенерагщю памяти.
      ED0 (Entended Data Out - расширенное время удержания данных на
выходе) фактически представляют собой обычные микросхемы FРМ, на выходе
которых установлены регистры-защелки данных. При страничном обмене такие
микросхемы работают в режиме простого конвейера: удерживают на выходах
данных содержимое последней выбранной ячейки, в то время как на их входы
уже подается адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет примерно на
15% по сравнению с FPM ускорить процесс считывания последовательных
массивов данных. При случайной адресации такая память ничем не отличается
от обычной.
      BEDO (Burst EDO - EDO с блочным доступом) - память на основе EDO,
работающая не одиночными, а пакетными циклами чтения/записи.
Современные     процессоры,      благодаря   внутреннему    и    внешнему
кэшированию команд и данных, обмениваются с основной памятью
преимущественно блоками слов максимальной ширины. В случае памяти
BEDO отпадает необходимость постоянной подачи последовательных адресов
на входы микросхем с соблюдением необходимых временных задержек -
достаточно стробировать переход к очередному слову отдельным сигналом.
      SDRAM (Synchronous DRAM - синхронная динамическая память) -память
с синхронным доступом, работающая быстрее обычной асинхронной



                                   76