Составители:
Рубрика:
образующиеся в результате электрического старения кристаллы Та
2
О
5
обладают значительно более высокой электронной проводимостью, чем
аморфный Та
2
О
5
,при кристаллизации происходит значительное повышение
электрической проводимости оксидного
диэлектрика. Кроме того, наблюдается
изменение поведения вольт-амперной характеристики конденсаторной струк-
туры с оксидным диэлектриком.
IV. Экспериментальная часть
1. Измерить напряжение пробоя аморфной оксидной пленки Та
2
О
5
в
конденсаторной структуре Та - Та
2
О
5
– электролит (образец № 1) .
2. Снять вольт-амперную характеристику образцов 2 и 3, с оксидной
пленкой, находящейся в исходном (аморфном) состoянии и после
электрического старения (аморфно-кристаллической пленкой).
V. Содержание отчета
1. Краткое описание исследуемых образцов (включая их предысторию)
2. Схема измерительной установки.
3. Определение величины пробивного напряжения оксидного диэлектрика
и его электрической прочности (толщину оксидной пленки принять равной
2500 Å).
4. Таблицы с измерениями величин тока, протекающего через образцы 2 и
З, в зависимости от приложенного к ним напряжения. Расчет удельной
электрической проводимости образцов 2 и 3 (площадь образцов вычислить,
исходя из указанной на конденсаторе емкости и
ε
Та
2
О
5
= 27).
5. Графики зависимостей тока от напряжения (вольт-амперные
характеристики) образцов 2 и 3, совмещенные в одних координатах.
15
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
