Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 16 стр.

UptoLike

Составители: 

6. Предложения по выбору параметра, информативного для выявления в
оксидной пленке кристаллической фазы.
7. Краткие выводы.
Литература: [4], с 18-60 ; [5], с.51-61, ; [6], с.64.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
I. Цель работы
Выявление качественных особенностей поведения сегнетоэлектриков под
воздействием внешних электрического и теплового полей.
11.Содержание работы
1. Изучение поведения заряда (индукции) в сегнетоэлектрике в
зависимости от напряженности приложенного к нему электрического поля
(нелинейных свойств сегнетоэлектрика)
2. Определение потерь в сегнетоэлектрике за цикл изменения полярности
приложенного поля
3. Изучение температурной зависимости диэлектрической проницаемости
сегнетоэлектриков различного состава.
Ш. Основные теоретические положения
Сегнетоэлектриками называют вещества, обладающие в определенном
интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, которая
существенно изменяется под влиянием внешних воздействий: электрического
поля, упругих напряжений, изменения температуры и других[3].
Спонтанная поляризация, то есть наличие электрического дипольного
момента в отсутствии внешнего электрического поля, обусловлена
особенностями строения сегнетоэлектриков.
Обычно сегнетоэлектрики не являются однородно поляризованными, а
16