Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 18 стр.

UptoLike

Составители: 

Рис.4. Основная кривая поляризации сегнетоэлектрика (кривая ОА) и петля
диэлектрического гистерезиса
Участок кривой ОА соответствует процессу роста доменов, у которых
вектор спонтанной поляризации образует наименьший угол с направлением
поля. В точке А наступает состояние технического насыщения, поляризация
достигает максимального значения P
max
, все домены ориентируются по
направлению поля. Кривую ОА называют кривой заряда сегнетоэлектрического
конденсатора.
Если в поляризованном до насыщения образце уменьшить напряженность
поля до 0, то поляризация в 0 не обратится, а примет некоторое остаточное
значение P
ост
(рис.4). При воздействии полем противоположной полярности
поляризация быстро уменьшается и при некоторой напряженности поля Е
с
(называемой коэрцитивной силой) обращается в ноль.
Так как наличие гистерезиса - это результат запаздывания поляризации по
отношению к внешнему электрическому полю, то площадь, ограниченная
петлей гистерезиса, пропорциональна потерям, связанным с затратами энергии
электрического поля на ориентацию доменов.
Специфические свойства сегнетоэлектриков проявляются только в
определенном интервале температур. При увеличении температуры
усиливается тепловое движение и, как следствие, нарушается доменная
18