Составители:
Рубрика:
а) б)
Рис.5. Изображение на экране осциллографа при калибровке установки (а) и измерении
зависимости заряда (индукции ) от величины напряженности электрического поля (б)
2. Снять зависимость заряда (индукции) конденсатора с
сегнетоэлектриком от величины напряженности электрического поля. Для этого
снимают координаты вершины петли гистерезиса (измерения проводить при 4-х
значениях масштаба R
м
)
Результаты измерений занести в табл.1
Таблица 1
V
g
, В V
u
, В Е, В/м Q, Кл C
СТ
, Ф
ε
3. Определить потери в сегнетоэлектрике, для чего при среднем значении
R
м
зарисовать петлю гистерезиса на кальку, определить ее площадь (в мм
2
).
4. Снять зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от
температуры. Результаты измерений занести в табл.2.
Таблица 2
Т, °С
V
g
, В V
u
, В Е, В/м Q, Кл C
СТ
, Ф
ε
20
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »
