Составители:
Рубрика:
V
max
- амплитуда приложенного напряжения; 2πf - круговая частота, с
-1
.
V1. Содержание отчета
1. Краткая характеристика исследуемых сегнетоэлектрических материалов.
2. Схема измерительной установки.
3. График зависимости заряда (индукции) в сегнетоэлектрике от
напряженности электрического поля (петля гистерезиса).
4. Результаты расчета диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика ε
при различных напряженностях электрического поля.
5. Результаты вычисления мощности и тангенса угла потерь в
сегнетоэлектрике.
6. Таблица с результатами расчета диэлектрической проницаемости при
различных температурах.
7. График температурной зависимости диэлектрической проницаемости
ε=f(T) . Определение точки Кюри.
8. Краткие выводы.
Литература: [3], с. 261...273.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
I. Цель работы
Выявление механизмов электропроводности в поликристаллических
полупроводниках, ответственных за нелинейность вольт-амперной
характеристики. Установление влияния структуры поликристаллического
полупроводника на его вольт-амперную характеристику.
22
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
