Составители:
Рубрика:
V. Обработка результатов измерений
На основе экспериментальных данных (табл.1) определяют заряд и
напряженность электрического поля по формулам
Q = V
u
.
C
0
V = V
g
h
V
Е
g
=
,
где V
u
- координата вершины петли гистерезиса по вертикали;
V
g
- координата вершины петли гистерезиса по горизонтали;
С
0
- емкость эталонного конденсатора.
h – толщина образца.
Для каждого значения R
м
вычисляют статическую емкость:
V
Q
С
СТ
=
и диэлектрическую проницаемость:
=
S
hС
СТ
0
ε
,
где: S - площадь образца, S = 1 см
2
; ε
0
= 8,86
.
10
-14
Ф/см.
Мощность, рассеиваемую в сегнетоэлектрике, определить по формуле:
P = K
.
Sr , где Sr - площадь, ограниченная гистерезисной петлей (мм
2
);
К - коэффициент пропорциональности (Вт/мм
2
), определяемый как:
f
qU
⋅
⋅
=Κ
2
11
,
где: U
1
и q
1
–цена деления горизонтальной и вертикальной оси (в В/мм и Кл/мм
соответственно); f - частота переменного тока (50 Гц).
Определить тангенс угла диэлектрических потерь по формуле:
,
где: Q
max
- максимальный заряд на обкладках конденсатора;
21
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
