Составители:
Рубрика:
П. Содержание работы
1. Определение вольт-амперной характеристики оксидного
поликристаллического полупроводника.
2. Изучение зависимости величины тока, протекающего через
поликристаллический полупроводник от температуры на различных участках
нелинейной вольт-амперной характеристики.
3. Сравнительный анализ вольт-амперных характеристик по-
ликристаллических полупроводников с различной микроструктурой.
Ш. Основные теоретические положения
Поликристаллическим полупроводникам (ПП), и в первую очередь,
оксидным ПП на основе ZnО, присуща нелинейность вольт-амперной
характеристики (ВАХ), благодаря которой они находят практическое
применение в качестве основы варисторов: полупроводниковых резисторов,
сопротивление которых зависит от приложенного напряжения. Нелинейность
ВАХ в ПП обусловлена электронными процессами на контактах между
кристаллитами оксидного вещества.
Как видно из рис.6, в приповерхностных областях кристаллитов
образуются области, обедненные носителями заряда и между поверхностью и
объёмом кристаллитов возникает разность потенциалов - поверхностный
потенциал Ф
о
, то есть межкристаллитный потенциальный барьер (МПБ).
Электрическая проводимость ПП, обусловленная электронными
переходами через МПБ, определяется следующим выражением:
)exp(
1
0
к
Т
Ф
N
кр
−=
σσ
где
σ
кр
- проводимость кристаллита,
N - число МПБ на пути протекания тока,
T - абсолютная температура,
23
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
