Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 25 стр.

UptoLike

Составители: 

сильной температурной зависимости тока. Величина порогового напряжения в
расчете на один МПБ в ZnO составляет 2,5-3,5 В.
В области напряжений, когда туннельный ток полностью шунтирует
МПБ, величина тока ограничена, главным образом, сопротивлением
кристаллитов.
ВАХ оксидного ПП симметрична относительно полярности при-
ложенного напряжения, что обусловлено симметрией МПБ и не требует
никаких специальных технологических ухищрений.
Учитывая, что определяющие нелинейность ВАХ высота и ширина МПБ
зависят от концентрации и степени заполнения поверхностных состояний,
нелинейностью ВАХ оксидного ПП можно управлять посредством легирования
его поверхностно-активными примесями (Bi, Co, Mn), взаимодействующими с
хемосорбированным кислородом (являющимся, по современным
представлениям, источником возникновения поверхностных состояний) и
создающими спектр поверхностных состояний. Кроме того, управлять ВАХ ок-
сидного ПП можно, меняя его микроструктуру, а именно число МПБ на пути
протекания тока. Для этого в состав оксидного ПП вводят примесные добавки,
влияющие на размер (скорость роста) кристаллитов (например, Sb
2
O
3
, Al
2
O
3
).
IV. Экспериментальная часть
1. Снять зависимость тока, протекающего через образец 1 от
приложенного напряжения.
2. Снять зависимость тока от напряжения для образца 1 при
противоположной полярности приложенного напряжения.
3. Снять зависимость тока, протекающего через образец 2 от
приложенного напряжения.
4. Снять температурную зависимость тока при двух значениях
приложенного напряжения: меньшем и большем порогового.
25