Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 26 стр.

UptoLike

Составители: 

V. Обработка результатов измерений
1. На основе полученных экспериментальных данных построить
вольт-амперные характеристики варисторных структур (для образцов 1 и 2).
Определить области пороговых напряжений.
2. Построить температурную зависимость тока в допороговой области
напряжений и при напряжениях, выше порогового.
3. Оценка среднего размера кристаллитов в образцах 1 и 2 с учетом их
толщины и величины порогового напряжения на один межкристаллический
потенциальный барьер 3 В.
V1. Содержание отчета
1. Краткая характеристика исследуемых поликристаллических
материалов.
2. Схема измерительной установки.
3. Таблицы с результатами измерения величины тока, протекающего
через образцы 1 и 2 в зависимости от приложенного напряжения.
4. Вольт-амперные характеристики образцов 1 и 2.
5. Таблица с результатами измерения величины тока, протекающего
через образец 1 в зависимости от температуры при двух значениях напряжения:
меньшем и большем порогового.
6. Графики зависимостей тока от температуры для образца 1 в
допороговой области и при напряжениях, больших порогового.
7. Краткие выводы по механизмам электропроводности
поликристаллических полупроводников и возможности диагностики их
микроструктуры по нелинейности вольт-амперной характеристики.
Литература: [7], с.123-157.
26