Составители:
Рубрика:
k - постоянная Больцмана.
Рис.6. Энергетические схемы межкристаллитного потенциального барьера в
поликристаллическом полупроводнике в отсутствии внешнего напряжения (а) и при
приложении напряжения (б); схематическое изображение микроструктуры
поликристаллического полупроводника (в) (штриховкой обозначены электроды)
При увеличении приложенного к ПП напряжения высота МПБ понижается
(рис.6, б), что приводит к экспоненциально сильному увеличению
σ (тока). В
допороговой области напряжения V , когда электронные переходы имеют
характер классических надбарьерных перескоков, зависимость
σ от V , как
правило, имеет вид
2
1
lg V≈
σ
. Надбарьерные электронные переходы
показаны на рис.6, а стрелкой.
При достижении порогового напряжения ВАХ резко усиливается, что
объясняется переходом к механизму квантово-механического туннелирования
электронов сквозь МПБ, который становится для этого достаточно узким
(рис.6, б). Характерным признаком этого механизма является отсутствие
24
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
