Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 27 стр.

UptoLike

Составители: 

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5
ПОЗИСТОРНЫЙ ЭФФЕКТ
В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ
I. Цель работы
Выявление взаимосвязи ионных процессов поляризации в
сегнетоэлектрических материалах с процессами электронного переноса в них
(сегнетоэлектрических и полупроводниковых свойств материалов).
II. Содержание работы
1. Определение вольт-амперной характеристики сегнетоэлектрика-
полупроводника.
2. Определение температурной зависимости сопротивления сегнетоэлектрика -
полупроводника.
3. Сравнительный анализ позисторного эффекта в сегнетоэлектриках
различного состава (с разной температурой Кюри).
III. Основные теоретические положения
Позисторным эффектом в полупроводниках называют аномальное для
этого класса материалов увеличение сопротивления при повышении
температуры (положительный температурный коэффициент сопротивления).
Он наблюдается, в частности, в сегнетоэлектрикахполупроводниках (СП) на
основе титанита бария BaTiO
3
и состоит в резком возрастании его
сопротивления вблизи точки Кюри при переходе из сегнетоэлектрической в
параэлектрическую фазу. Сопротивление полупроводникового титанит бария в
узком температурном интервале вблизи точки Кюри может возрасти на
несколько порядков величины 7.
Позисторный эффект в СП связан с их структурно-химическими
особенностями и наличием внутренних полей, обусловленных спонтанной
поляризацией. Для придания BaTiO
3
полупроводниковых свойств его легируют
27