Составители:
Рубрика:
Рис. 7 . Схема, поясняющая электропроводность полупроводникового титаната бария
посредством перескоков между соседними разновалентными ионами титана (а);
энергетическая схема межкристаллитного потенциального барьера в сегнетокерамике (б)
Для того чтобы через керамический образец протекал ток, электронам
необходимо преодолеть этот потенциальный барьер. Поэтому удельное
сопротивление образца ρ можно выразить в виде
⋅=
кТ
Ф
V
0
exp
ρρ
,
где
ρ
v
– удельное объемное сопротивление кристаллита;
Т – абсолютная температура; ĸ – постоянная Больцмана.
29
