Физические основы микроэлектроники. Часть 1. Ханин С.Д - 30 стр.

UptoLike

Составители: 

При переходе из сегнетоэлектрической в параэлектрическую фазу
диэлектрическая проницаемость материала падает в соответствии с законом
КюриВейсса:
к
ТТ
С
=
ε
,
где Т
к
температура Кюри,
Спостоянная величина.
Это приводит к тому, что вблизи Т
к
резко повышается высота барьера
Ф
0
и, как следствие, экспоненциально сильно возрастает сопротивление, то есть
имеет место позисторный эффект.
В действительности позисторный эффект определяется как
процессами на границе кристаллитов в керамическом материале, так и
объемными свойствами СП.
Температура Кюри, при которой наблюдается скачок сопротивления СП,
может меняться в широких пределах посредством изменения состава
сегнетоэлектрика-полупроводника (в том числе, при переходе к твердым
растворам).
Позисторный эффект лежит в основе работы полупроводниковых
терморезисторов с положительным температурным коэффициентом
сопротивления (позисторов) 7.
1У. Экспериментальная часть
1. Снять вольт-амперную характеристику позисторного материала
(образца 1).
2. Снять температурную зависимость сопротивления образца 1.
3. Снять температурную зависимость сопротивления образца 2
сегнетоэлектрика-полупроводника отличного от образца 1 состава.
У. Содержание отчета
1. Схема измерительной установки.
2. Таблица с результатами измерений величины сопротивления
образцов 1 и 2 в зависимости от температуры.
30