Составители:
Рубрика:
запрещенной зоны полупроводника, то есть образуется инверсионный слой с
дырочной электропроводностью.
Практическая реализация эффекта поля в реальной МДП-структуре
осложнена наличием у полупроводника поверхностных состояний. В случае,
если у полупроводника имеются поверхностные состояния акцепторного типа,
при приложении к МДП-структуре напряжения полярностью, соответствующей
обогащению приповерхностной области носителями заряда, последние будут
захватываться на поверхностные состояния и тем самым терять влияние на
поверхностную проводимость полупроводника.
Рис.8. Структура металл-диэлектрик-полупроводник (а); энергетические схемы МДП-
структуры с полупроводником п-типа в случае обогащения (б) и обеднения (в) основными
носителями заряда приповерхностной области полупроводника
Чем выше концентрация поверхностных состояний, тем меньше
изменение проводимости и соответственно слабее эффект поля.
Наличие у полупроводника поверхностных состояний проявляется в
вольт-фарадной характеристике МДП-структуры (рис.9), обусловленной
зависимостью ширины приповерхностной области полупроводника от
постоянного смещения /4/.
24
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 22
- 23
- 24
- 25
- 26
- …
- следующая ›
- последняя »
