Составители:
Рубрика:
I. Цель работы
Изучение принципа функционирования структуры металл-диэлектрик-
полупроводник как основы элементной базы микроэлектроники. Определение
влияния поверхностных состояний, определяемых технологией окисления
полупроводника, на основные электрофизические характеристики МДП-
структур.
П. Содержание работы
1. Определение вольт-фарадной характеристики МДП-структуры на
основе кремния.
2. Сравнительный анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур
на основе кремния с окислом, полученным по технологии сухого и влажного
окисления кремния.
3. Диагностика поверхностных состояний по вольт-фарадным
характеристикам.
Ш. Основные теоретические положения
Принцип действия МДП-структуры основан на эффекте поля: изменении
поверхностной проводимости полупроводника под воздействием поперечного
электрического поля вследствие изменения концентрации носителей заряда в
приповерхностной области полупроводника/2/.
Как видно из рисунка 8 , на котором представлены энергетические
диаграммы полупроводника n-типа в МДП-структуре, при положительном
потенциале на металле приповерхностная область полупроводника оказывается
обогащенной основными носителями (рис.8, б), а при противоположной
полярности приложенного напряжения - обедненной носителями заряда (рис.8,
в). В последнем случае при увеличении постоянного смещения V изгиб зон
может стать настолько большим, что уровень Ферми в приповерхностной
области полупроводника окажется расположенным ниже середины
23
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
