Составители:
Рубрика:
свободна от структурных дефектов (точечных дефектов, дислокаций и др.), а
также от механических напряжений (последнее достигается, в частности, при
совпадении коэффициентов термического расширения полупроводников). При
наличии в гетеропереходе большого числа рекомбинационных ловушек
токопрохождение через такой гетеропереход может существенно отличаться от
токопрохождения через идеальный гетеропереход (так, гетеропереход может не
обладать выпрямляющими свойствами).
Наиболее широко используются монокристаллические гетеропереходы
между полупроводниковыми материалами типа А
III
В
V
и их твердыми
растворами на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Gа и Аl. Примером
практически идеального гетероперехода является гетеропереход GaAs -
твердый раствор Al
x
Ga
1-x
As. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al,
изменение химического состава полупроводникового материала происходит без
изменения периода решетки. Гетероструктуры получают также на основе
многокомпонентных (четверных и более) твердых растворов, в которых при
изменении состава не изменяется период решетки. Основным методом
изготовления гетероструктур является эпитаксиальное наращивание
полупроводниковых кристаллов, главным образом жидкостная эпитаксия.
Особенности зонных диаграмм и связанные с ними явления од-
носторонней инжекции, сверхинжекции делают возможным создание на основе
гетероструктур ряда полупроводниковых приборов (транзисторов, тиристоров
и др.) с электрическими характеристиками, лучшими, чем у аналогичных
приборов на основе гомопереходов. Особенности излучательной рекомбинации
и фотоэффекта в гетеропереходах послужили основой для создания
оптоэлектронных приборов гетеролазеров, светодиодов, фотодетекторов и
др./2/.
IV. Экспериментальная часть
1. Снять вольт-амперную характеристику гетероперехода GaAs - твердый
раствор Al
x
Ga
1-x
As, оформленного в виде светодиода
21
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
