Составители:
Рубрика:
Рис.6. Энергетическая диаграмма изолированных полупроводников (а); энергетическая схема
гетероперехода полупроводник-полупроводник для узкозонного полупроводника n-типа (б)
При приложении к р-n гетеропереходу внешнего напряжения последнее
будет, как и в случае р-п гомоперехода, падать на обедненных основными
носителями заряда слоях, делясь между ними в пропорции, обратной
отношению диэлектрических проницаемостей материалов. При прямом
смещении, когда высота потенциального барьера для основных носителей
заряда уменьшается, величина тока значительно больше, чем при обратном.
Таким образом, гетеропереходы, как и гомопереходы, обнаруживают
выпрямляющие свойства /2/.
Однако в результате разрывов дна зоны проводимости и потолка
валентной зоны ∆Е
С
и ∆Е
ν
высота потенциальных барьеров для электронов и
дырок в гетеропереходе различна. Поэтому прямой ток через гетеропереход
связан в основном с движением носителей заряда только одного знака, причем
инжекция неосновных носителей заряда происходит всегда из широкозонного
полупроводника в узкозонный полупроводник (рис.7). При некотором значении
напряжения концентрация инжектированных в узкозонной полупроводник но-
сителей превышает концентрацию равновесных носителей заряда в
широкозонном полупроводнике. Это явление, присущее гетеропереходам,
называют сверхинжекцией. В гетеропереходах, образованных
полупроводниками с одним типом электропроводности, выпрямление
происходит без инжекции неосновных носителей заряда /2/.
19
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »
