Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 18 стр.

UptoLike

Составители: 

∆Е
ν
= | (х
2
+ Е
g2
) – (х
1
+ Е
g1
) | = |E
g2
– E
g1
∆Е
с
|.
При приложении к р-n гетеропереходу внешнего напряжения последнее
будет, как и в случае р-п гомоперехода, падать на обедненных основными
носителями заряда слоях, делясь между ними в пропорции, обратной
отношению диэлектрических проницаемостей материалов. При прямом
смещении, когда высота потенциального барьера для основных носителей
заряда уменьшается, величина тока значительно больше, чем при обратном.
Таким образом, гетеропереходы, как и гомопереходы, обнаруживают
выпрямляющие свойства.
18