Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

2.Снять вольт-фарадную характеристику контакта металл –
полупроводник.
Y. Обработка результатов измерений
Значение барьерной емкости С определить по формуле
12
1
2
2
−
⋅⋅⋅⋅
=
R
V
V
Rf
С
π
, где f – частота переменного сигнала (1 МГц);
R
2
– величина сопротивления резистора (R
2
=1 кОм);
V – амплитуда переменного напряжения (100 мВ); V
R
– напряжение,
измеряемое вольтметром V
~
.
Y1. Содержание отчета
1. Схема измерительной установки.
2. Таблица с результатами измерений величины тока в зависимости от
приложенного к диоду Шоттки напряжения на прямой и обратной ветви вольт-
амперной характеристики.
3. График зависимости тока от напряжения при обеих полярностях
последнего.
4. Таблица с результатами измерений барьерной емкости в зависимости
от величины обратного напряжения тока.
5. Графики зависимости барьерной емкости от напряжения,
представленные в координатах С=f(V
R
) и 1/C
2
=f(V
R
).
6. Определить контактную разность потенциалов
φ
0
и концентрацию
легирующей полупроводник примеси по вольт-фарадной характеристике в
координатах 1/С
2
– V. Величину диэлектрической проницаемости
полупроводника при расчете принять равной 10.
7. Краткие выводы.
Литература: [2], с.76-188.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 8
ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДЕ ПОЛУПРОВОДНИК-
ПОЛУПРОВОДНИК
16

Страницы