Составители:
Рубрика:
характеристику контакта металл-полупроводник в приближенном виде можно
представить как
−
±= 1
0
kT
qV
ехрII
(знаки "+" и "-" относятся к прямому и обратному
направлению соответственно). Для получения более точного выражения для
вольт-амперной характеристики следует учесть характер движения носителей
заряда через обедненный слой.
Обогащенный основными носителями заряда приконтактный слой
полупроводника обладает малым сопротивлением по сравнению с объемом
полупроводника. Поэтому в случае его формирования контакт металл –
полупроводник выпрямляющими свойствами не обладает.
Наряду с асимметрией вольт-амперной характеристики барьера Шоттки,
следует отметить особенности его вольт-фарадной характеристики. Речь идет о
зависимости барьерной емкости, обусловленной наличием обедненного слоя
(играющего роль диэлектрика конденсатора), от величины приложенного
обратного напряжения. Эта зависимость обусловлена модуляцией ширины
обедненной области (толщины "диэлектрика") W внешним напряжением и
определяется приближенным выражением (в расчете на единицу площади):
)(2
0
0
0
V
Nq
W
С
Д
−⋅
⋅⋅⋅
=
⋅
=
ϕ
εε
εε
, (1)
где
ε – диэлектрическая проницаемость материала;
N
Д
– концентрация донорной примеси в полупроводнике
ε
0
– электрическая постоянная (8,86 10
-14
см
Ф
).
Выражение (1) можно записать в виде
Д
Nq
V
C
⋅⋅⋅
−⋅
=
εε
ϕ
0
0
2
)(2
1
. (2)
14
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »
