Составители:
Рубрика:
Барьер Шоттки обладает выпрямляющими свойствами, так как внешнее
напряжение V, падая в основном на высокоомном обедненном слое, будет
изменять высоту потенциального барьера (рис.5), меняя тем самым условия
прохождения носителей заряда через переход ☯2, 3. Таким образом, контакт
металл-полупроводник обладает односторонней проводимостью: при
одинаковом значении напряжения ток в прямом направлении (рис.5, б)
значительно выше, чем в обратном направлении (рис.5, а).
М П М П
Ψ
°
+ qV Ψ
°
- qV
qV qV
а) б)
Рис.5. Энергетическая схема перехода Шоттки, к которому приложено напряжение,
повышающее (а) и понижающее (б) барьер на контакте. Пунктиром отмечены уровни
Ферми металла и полупроводника
Учитывая, что изменение высоты потенциального барьера для электронов
на величину qV приводит, в соответствии с законом Больцмана, к изменению
потока электронов из полупроводника в металл в
кТ
qV
ехр
раз ( где Т-
абсолютная температура, k- постоянная Больцмана), вольт-амперную
13
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
