Составители:
Рубрика:
Таким образом, вольт-фарадная характеристика перехода Шоттки линейна
в координатах V
C
−
2
1
, она позволяет определить величину контактной разности
потенциалов φ
0
(по точке пересечения графиком 1/С
2
=f (V) горизонтальной оси)
и концентрации легирующей полупроводник примеси N
Д
(по углу наклона
графика зависимости С=f(V) в координатах 1/С
2
– V).
Следует иметь в виду, что в случае наличия на поверхности
полупроводника высокой плотности поверхностных состояний последние
будут захватывать заряд, и область пространственного заряда в
полупроводнике при приведении его в контакт с металлом может остаться
неизменной. Это приведет к нарушению соотношений (1) и (2).
IY. Экспериментальная часть
Таким образом, вольт-фарадная характеристика перехода Шоттки линейна
в координатах
V
C
−
2
1
, она позволяет определить величину контактной разности
потенциалов φ
0
(по точке пересечения графиком 1/С
2
=f (V) горизонтальной оси)
и концентрации легирующей полупроводник примеси N
Д
(по углу наклона
графика зависимости С=f(V) в координатах 1/С
2
– V).
Следует иметь в виду, что в случае наличия на поверхности
полупроводника высокой плотности поверхностных состояний последние
будут захватывать заряд, и область пространственного заряда в
полупроводнике при приведении его в контакт с металлом может остаться
неизменной. Это приведет к нарушению соотношений (1) и (2).
IY. Экспериментальная часть
1. Cнять вольт-амперную характеристику контакта металл-
полупроводник, оформленного в виде диода Шоттки. При проведении
эксперимента напряжение, приложенное к образцу, определять по формуле
, где I – величина тока; R
1
RIEV ⋅−=
1
= 1кОм.
15
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
