Составители:
Рубрика:
Это приводит к тому, что поток электронов из полупроводника в металл
уменьшится, в то время как поток электронов из металла в полупроводник
остается неизменным, так как высота барьера со стороны металла сохраняется
прежней. В термодинамическом равновесии встречные потоки электронов
выравниваются, уровни Ферми полупроводника и металла совпадают, и между
металлом и полупроводником устанавливается контактная разность
потенциалов
q
ФФ
q
12
0
0
−
=
Ψ
=
ϕ
(ψ
0
- высота потенциального барьера на контакте-
рис. 4, б) ☯2.
Поскольку концентрация электронов в полупроводнике значительно
меньше, чем в металле, электрическое поле контактной разности потенциалов
при непосредственном контакте металла с полупроводником (когда ширина
зазора порядка межатомных расстояний) сосредоточено практически только в
полупроводнике и искривляет его энергетические зоны (рис.4, в).
Таким образом, в рассматриваемом случае в приконтактной области
полупроводника формируется потенциальный барьер, препятствующий
переходу электронов из полупроводника в металл. Такой переходный слой
называется обедненным, а описанный контакт металла с полупроводником –
барьером (или переходом) Шоттки.
В случае, если Ф
1
> Ф
2
разностный поток электронов будет направлен в
сторону полупроводника, в результате чего последний зарядится отрицательно,
а металл – положительно. При этом в приконтактной области полупроводника
n-типа будет формироваться обогащенный носителями заряда слой.
Аналогичная ситуация имеет место на контакте металла с
полупроводником p-типа с той лишь разницей, что при Ф
1
< Ф
2
в
приконтактной области полупроводника образуется обогащенный основными
носителями (дырками) слой, а при Ф
1
> Ф
2
– обедненный слой.
11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »
