Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 9 стр.

UptoLike

Составители: 

2. Снять зависимость сопротивления металлдиэлектрической
композиции от концентрации металлической фазы, для чего измерить
сопротивление образцов 1-5 с различной (указанной) концентрацией металла.
Y. Обработка результатов измерений
1. Определить температурный коэффициент сопротивления металл
диэлектрической композиции при двух концентрациях металлической фазы:
меньшей и большей пороговой.
2. Для этого измерить сопротивление выбранных по результатам
выполнения п. 2 двух образцов при температуре 60
0
С. Далее сравнить значения
этих сопротивлений с сопротивлениями, измеренными при комнатной
температуре (по п.2) и определить ТКС по формуле
0
0
0
1
TT
RR
R
ТКС
T
=
, (R
T
и
R
0
величины сопротивления при температурах Т и Т
0
, соответственно, Т
0
комнатная температура: Т
0
=293 К).
Y1. Содержание отчета
1. Краткое описание исследуемых образцов.
2. Схема измерительной установки.
3. Таблица с результатами измерений сопротивления оксида ванадия в
зависимости от температуры.
4. График зависимости сопротивления оксида ванадия от
температуры. Определение температуры фазового перехода диэлектрик
металл.
5. График зависимости сопротивления металлдиэлектрической
композиции от концентрации металлической фазы. Определение пороговой
объемной концентрации металлической фазы.
6. Определение ТКС металлдиэлектрической композиции с
концентрацией металлической фазы меньшей и большей пороговой.
9