Составители:
Рубрика:
а б в
Рис.3. Схематическое изображение структур металл-диэлектрических композиций
при различной концентрация металлической фазы: X < Xc (а); X=Хс (б); X >Х
С
(в)
При объемной концентрации металла, близкой к единице, имеет место
обратная ситуация: островки диэлектрика в металлической матрице (рис. 3в).
Проводимость композиции в этом случае близка к проводимости металла
σ
м
и
ТКС > 0. В промежуточной области концентрация металла при некоторой
критической концентрации х = Х
с
, когда островки металла начинают
соприкасаться, образуя непрерывный проводящий скелет в диэлектрической
матрице (рис. 3, б), происходит резкий скачок проводимости и смена знака
ТКС, то есть фазовый переход диэлектрик – металл. Концентрационный
фазовый переход диэлектрик – металл наблюдается в различных,
используемых в микроэлектронике металлодиэлектрических композициях:
тонких керметных пленках, металлополимерных композициях (контактолы),
островковых металлических пленках на диэлектрических подложках.
1Y. Экспериментальная часть
1. Снять температурную зависимость сопротивления оксида ванадия в
интервале от комнатной температуры (предварительно ее зафиксировав), до
80
0
С с шагом 10
0
С, до 60
0
С, а в области температур 60 – 80
0
С – с шагом 2
0
С.
8
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
