Физические основы микроэлектроники. Часть 2. Ханин С.Д - 7 стр.

UptoLike

Составители: 

- нарушением периодичности в пространственном расположении
атомов, приводящим к размытию краев разрешенных зон, появлению
в запрещенной зоне локализованных состояний и, как следствие,
скачку проводимости при пересечении энергетическим уровнем
протекания тока края разрешенной зоны (рис. 2).
Рис. 2 . Энергетическое распределение плотности электронных состояний в упорядоченной
(I) и неупорядоченной ( 2 ) решетке. Штрих- пунктирной линией обозначена энергетическая
граница между делокализованными и локализованными состояниями в неупорядоченной решетке
Фазовый переход диэлектрикметалл в оксиде ванадия находит
практическое использование в разнообразных технических устройствах:
электронных переключателях, устройствах для записи и хранения информации,
индикаторных устройствах и др.
В случаях гетерогенных систем металлдиэлектрик при малой объемной
концентрации металла проводящая фаза образует изолированные островки или
группы островков в диэлектрической матрице (рис. 3, а). Проводимость такой
композиции мала и близка к проводимости диэлектрика
σ
д
, а ТКС < 0.
7